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芯片失效故障定位技术-EMMI&Obirch案例

发布时间:2025-04-14

测试案例:


1.芯片热点观察+FIB切片+SEM观察

a.案例背景: 半导体芯片生产或使用过程中发现存在漏电、短路现象。 
b.分析方法简述 :
1.通过外观检查,未发现半导体芯片外观有任何异常。
2.对芯片做热点定位分析,发现异常热点。
3.用FIB对热点进行FIB切割,发现热点截面缺陷。


芯片热点观察+FIB切片+SEM观察


2.器件热点观察+FIB切片+SEM观察

器件热点观察+FIB切片+SEM观察

STI corner breakdown was observed at the EMMI spot EMMI热点观察到STI角击穿

3.线路热点分析

线路热点分析

Word line poly break was found at EMMI spot EMMI热点发现字线多处断裂


4.器件ESD故障分析

器件ESD故障分析

ESD damage was found at specifically position of ESD circuit在电路特定位置发现ESD损坏

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